WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
ГЛАВНАЯ
КАНДИДАТСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
ДОКТОРСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ
МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ
ОФОРМЛЕНИЕ КАНДИДАТСКОЙ
ДОКТОРАНТУРА
НАУЧНЫЕ ЖУРНАЛЫ
АВТОРЕФЕРАТЫ БЕЛОРУССИИ
ОФИЦИАЛЬНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
ОБРАЗОВАНИЕ КАЗАХСТАНА
СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ
КОНТАКТЫ
Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.

Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.
   Добро пожаловать!


Книги по разным темам

Книги (разное)

[8301-8400]

Pages:     | 1 |   ...   | 82 | 83 |
84
| 85 | 86 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN © С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия »
  2. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN © В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  3. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Алгоритм развертки для численной генерации и записи фуллеренов © А.М. Лившиц, Ю.Е. Лозовик Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия E-mail:»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Стимулирование люминесценции варизонных полупроводников AlxGa1-xAs © К. Пожела, Р.-А. Бендорюс, Ю. Пожела, А. Шиленас Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 17 мая 2000»
  5. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Численное моделирование методом MINDO/3 электронной структуры нитрида кремния © В.А. Гриценко, Ю.Н. Мороков, Ю.Н. Новиков Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090»
  6. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках (Обзор) © О.Е. Квятковский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока © Д.С. Сизов¶, В.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Проблемы наблюдения методом мессбауэровской спектроскопии 67 на изотопе Zn процесса бозе-конденсации в полупроводниках © С.А. Немов, Н.П. Серегин, С.М. Иркаев Санкт-Петербургский»
  9. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Эволюция образования и роста полости в пентагональных кристаллах электролитического происхождения © И.С. Ясников, А.А. Викарчук Тольяттинский государственный университет, 445056 Тольятти, Россия E-mail:»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения © В.А. Володин¶, Е.И. Гацкевич , А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев , + А.И. Никифоров,»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Кинетика трансформации домена электрического поля в слабо связанных сверхрешетках в поперечном электрическом поле © Ю.А. Митягин¶, В.Н. Мурзин, Ю.А. Ефимов, А.А. Пищулин, В.Н. Пырков Физический»
  12. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Особенности резонансного акустооптического взаимодействия в условиях реально уширенной линии поглощения © А.В. Герус, В.В. Проклов, В.Н. Чесноков Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различной мощности накачки ¶ © В.А. Кульбачинский , В.А. Рогозин, Р.А. Лунин, А.А. Белов, А.Л. Карузский, А.В.»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния) + © А.А. Лебедев, В.В. Козловский , Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Спектр непрямого магнетоэкситона © Н.Е. Капуткина, Ю.Е. Лозовик Московский институт стали и сплавов, 117936 Москва, Россия Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Россия»
  16. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью © П.И. Бирюлин¶, А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, В.Т. Трофимов Московский государственный»
  17. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Кластеры ионов III группы в активированных кристаллах типа флюорита © С.А. Казанский, А.И. Рыскин Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, 199034 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  18. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны © И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В.»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт ¶ © Е.А. Багаев, К.С. Журавлев , Л.Л. Свешникова, И.А. Бадмаева, С.М. Репинский, M. Voelskow»
  20. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Колебательные моды и электронно-фононное взаимодействие в полупроводниковых нанотрубках © А.И. Ведерников¶, А.В. Чапли궶 Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия »
  21. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Межзонное поглощение света в размерно-ограниченных системах в однородном электрическом поле © Э.П. Синявский¶, С.М. Соковнич, Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики Академии наук Молдавии,»
  22. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Оптическая активность несоразмерных кристаллов в режиме плосковолновой модуляции © О.С. Кушнир, Л.О. Локоть Львовский государственный университет им. И. Франко, 290005 Львов, Украина (Поступила в Редакцию 10»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Кинетическая теория отрицательного магнетосопротивления как альтернатива слабой локализации в полупроводниках ¶ © В.Э. Каминский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Electron nonelastic scattering by confined and interface polar optical phonons in a modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well © K. Poela Semiconductor physics institute, 2600 Vilnius,»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости © Л.Г. Герчиков¶, Ю.А. Мамаев, А.В. Субашиев, Ю.П. Яшин, Д.А. Васильев, В.В.»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Фотосопротивление Si / Ge / Si-структур с квантовыми точками германия © О.А. Шегай¶, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков Институт физики полупроводников Сибирского»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN в GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии +¶ + + + + © Н.В. Крыжановская , А.Г. Гладышев , А.Р. Ковш , И.П. Сошников ,»
  28. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Динамика резонансного туннелирования в гетероструктурах с двухдолинным спектром © Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков Сибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия (Получена 4 марта 1998 г.»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений © В.В. Лундин¶, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г.»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Электрические характеристики интерференционных транзисторов с одним затвором на различных полупроводниковых материалах © И.И. Абрамов, А.И. Рогачев Белорусский государственный университет»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля ¶ © Е.Н. Вандышев , А.М. Гилинский, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев Институт физики полупроводников Сибирского»
  32. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Электронная структура стеклообразных фосфатов со сложным строением кислородной подрешетки © А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, Ю.В. Щапова Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия»
  33. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Термодинамика тока в сверхпроводящих и сверхтекучих системах © Е.К. Кудинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 24»
  34. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Parameters of light-induced charge transfer processes in photorefractive crystals © O.F. Schirmer, C. Veber, M. Meyer Fachbereich Physik, Universitt Osnabrck, D-49069 Osnabrck, Germany A method is outlined»
  35. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированно-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs © А.В. Гук, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Ю.В. Хабаров Институт»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Излучение на 1.3–1.4 мкм в структурах с массивами связанных квантовых точек, выращенных методом субмонослойной эпитаксии © Б.В. Воловик, Д.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, Ю.Г. Мусихин, Н.Н.»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Электропроводность квантовых проволок в однородном магнитном поле © Э.П. Синявский¶, Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики Академии наук Молдовы, МД-2028 Кишинев, Молдова (Получена 29»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Электронный магнетотранспорт в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием ¶ © Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский , И.С. Васильевский , В.А. Кульбачинский , Р.А. Лунин Институт СВЧ»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры с модуляцией состава в пленках CdxHg1-xTe ¶ ¶¶ © П.А. Бахтин, В.С. Варавин , С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко , А.В. Латышев, Н.Н.»
  40. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Эхо-отклик в сегнетоэлектрических жидких кристаллах © В.А. Попов, А.Р. Кессель Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия (Поступила в Редакцию 6 ноября 1997 г.) Для»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током в квантовых ямах ¶ © Н.С. Аверкиев , А.Ю. Силов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  42. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si © Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В.»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Полумагнитные сверхрешетки типа II ZnMnSe/ZnSSe: рост и магнитолюминесцентные свойства ¶ © А.А. Торопов , А.В. Лебедев, С.В. Сорокин, Д.Д. Салнышков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, И.А. Буянова ,»
  44. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Термоэдс увлечения электронов фононами в легированном висмуте © В.Д. Каган, Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И. Польшин, О.В. Зотова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Нелинейная теория когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот © В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.И. Подливаев Московский государственный инженерно-физический»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Локализация электронно-дырочных комплексов на флуктуациях интерфейсов квантовых ям © М.А. Семина¶, Р.А. Сергеев, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  47. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 A point group approach to selection rules in crystals © V.P. Smirnov, R.A. Evarestov , P. Tronc Institute of Fine Mechanics and Optics, 197101 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State University,»
  48. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Structure and charge transfer dynamics of uranyl ions in boron oxide and borosilicate glasses © G.K. Liu, H.Z. Zhuang, J.V. Beitz, C.W. Williams, V.S. Vikhnin Chemistry Division, Argonne National»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe-наноструктурах ¶ © М.Я. Валах , М.П. Лисица, В.В. Стрельчук, Н.В. Вуйчик, С.В. Иванов , А.А. Торопов , Т.В. Шубина , П.С. Копьев»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe–электролит © В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов¶, П.П. Коноров Научно-исследовательский институт физики им.»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Нанокомпозиты опал–ZnO: структура и эмиссионные свойства ¶ © Г.А. Емельченко , А.Н. Грузинцев , М.Н. Ковальчук , В.М. Масалов, Э.Н. Самаров, + Е.Е. Якимов , C. Barthou , И.И. Зверькова»
  52. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние спин-орбитального взаимодействия на оптические спектры акцептора в полупроводниковой квантовой точке © А.Ф. Полупанов, В.И. Галиев, М.Г. Новак Институт радиотехники и электроники»
  53. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 К расчету энергии связи электронов и позитронов в диэлектрическом кластере © В.В. Погосов, И.Т. Якубов Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики Российской академии наук, 127412 Москва,»
  54. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии © В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Г.Г. Мясищева, Ю.В. Фунтиков Институт теоретической и экспериментальной физики, 117259 Москва,»
  55. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние дисперсии размеров на оптическое поглощение системы полупроводниковых квантовых точек © М.И. Василевский, А.М. де Паула, Е.И. Акинкина, Е.В. Анда† Нижегородский государственный университет»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Эффекты упорядочения наноструктур в системе Si / Ge0.3Si0.7 / Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии ,+,=¶ ,+,= =,- © Г.Э. Цырлин , В.А. Егоров , Л.В. Соколов , P. Werner= Институт»
  57. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Структура и плавление дипольных кластеров © Ю.Е. Лозовик, Е.А. Ракоч Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 26 января 1998 г.)»
  58. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Плазменные зоны в графите © Е.М. Байтингер Челябинский государственный педагогический университет, 454080 Челябинск, Россия (Поступила в Редакцию 24 мая 2005 г.) Представлены и обсуждаются экспериментальные»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Нелинейные оптические и светочувствительные свойства полиамидоимидов, содержащих промышленные азокрасители © Е.Л. Александрова, М.Я. Гойхман, Л.И. Субботина, Н.Н. Смирнов, А.Э. Бурсиан, А.В.»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения © А.В. Цуканов¶ Физико-технологический институт Российской академии наук,»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотолюминесценция пористого арсенида галлия © Д.Н. Горячев, О.М. Сресели Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 10 июня 1997»
  62. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимации в вакууме © Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина Физико-технический»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном на p+-Si B © С.П. Зимин¶ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000 Ярославль, Россия»
  64. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Синтез и исследование диселенида титана, интеркалированного ферроценом и кобальтоценом © А.Н. Титов,, О.Н. Суворова, С.Ю. Кетков, С.Г. Титова, А.И. Меренцов Институт физики металлов Уральского отделения»
  65. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Некоторые сравнительные термодинамические характеристики фуллерита и отдельных ковалентных элементов © В.Д. Бланк, А.А. Нуждин, В.М. Прохоров, Р.Х. Баграмов Научно-технический центр ”Сверхтвердые материалы”,»
  66. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC © А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  67. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Структурные закономерности фотоэффекта в полиимидных структурах, содержащих гетероциклические фрагменты © Е.Л. Александрова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода ¶ © Е.В. Анищенко, В.А. Кагадей , Е.В. Нефёдцев , Д.И. Проскуровский , С.В.»
  69. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в твердых растворах GaSe–GaTe в магнитном поле © А.Н. Старухин, Б.С. Разбирин, А.В. Чугреев, М. Хапп, Ф. Хеннебергер Физико-технический институт»
  70. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм © Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г.»
  71. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Слабая локализация неупруго отраженных электронов в условиях Оже-эмиссии © В.В. Дубов, В.В. Кораблев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Нелинейное преобразование частоты в лазере с двойным вертикальным резонатором © Ю.А. Морозов¶, И.С. Нефедов, В.Я. Алешкин Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 410019»
  73. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Воздействие контакта с воздухом на спектр фотолюминесценции пористого кремния © В.Ф. Агекян, А.М. Апрелев, Р. Лайхо, Ю.А. Степанов Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов с внешними шинами и проволочной контактной сеткой © Г.Г. Унтила¶, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс , А.М. Ситников,»
  75. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Природа селективности интеркалатных материалов с поляронным типом локализации носителей заряда © А.Н. Титов,, Т.В. Великанова Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  76. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 Дефекты структуры в молекулярных кристаллах на основе гетероспиновых комплексов меди © Ю.А. Осипьян, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, В.И. Овчаренко, С.В. Фокин Институт физики твердого тела Российской»
  77. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs © Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой © И.П. Смирнова¶, Л.К. Марков, Д.А. Закгейм, Е.М. Аракчеева, М.Р. Рымалис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  79. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Люминесценция экситонов, локализованных около примеси в корунде © Б.Р. Намозов, В.А. Ветров, С.М. Мурадов, Р.И. Захарченя Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Some Aspects to the RHEED Behaviour of LT-GaAs Growth © kos Nemcsics¶,+ Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, P.O. Box 49, H-1525»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами © А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, ¶ М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев»
  82. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 Исследование движения индивидуальных тройных стыков в алюминии © С.Г. Протасова, В.Г. Сурсаева, Л.С. Швиндлерман Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл.,»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Взаимодействие когерентных оптических связанных мод в близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы © А.Н. Грузинцев¶, В.Т. Волков, М.А. Князев, Е.Е. Якимов Институт»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H © А.В. Медведев¶, Н.А. Феоктистов, А.Б. Певцов,»
  85. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния на характеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором © П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова»
  86. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Квантовая спиновая жидкость в антиферромагнетике с четырехспиновым взаимодействием © С.С. Аплеснин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия»
  87. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Пироэлектрические свойства трибората лития в области температур от 4.2 до 300 K © С. Матыясик, Ю.В. Шалдин Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, 53-529 Вроцлав, Польша »
  88. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Локальные характеристики электронной структуры кристалла в методе Хартри–Фока © В.А. Верязов, А.В. Леко, Р.А. Эварестов Научно-исследовательский институт химии, 198904 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в»
  89. «НемонотонныеНемонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного... Энергетический уровень Ev + 0.24 эВ можно отожде- 4. Заключение ствить с межузельным атомом алюминия или с парой Таким образом, обнаружено немонотонное»
  90. «ЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводность и термоэдс жидкого теллура с примесями переходных 3d-металлов Electrical conductivity and thermopower of liquid tellurium»
  91. «СовместнаяСовместнаяСовместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием... эти явления связаны с отклонением от стехиометрии, создаваемым изовалентной примесью P, стимулирующим образование ионами кремния мелких донорных»
  92. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Аномалии упругих свойств слоистых материалов © Л.А. Кулакова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: L.Kulakova@shuvpop.ioffe.rssi.ru»
  93. «СканирующиеСканирующиеСканирующиеСканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия аморфного углерода Рис. 9. CTM-изображение поверхности пленки углеродно-платинового нанокомпозита до (слева) и после (справа) двухчасового отжига при температуре»
  94. «ПарамагнитныеПарамагнитныеПарамагнитныеПарамагнитные дефекты в -облученных кристаллах карбида кремния Сначала обсудим возможную связь спектров ЭПР, об- только косвенную роль, подобно той, что играет бор в наруженных в настоящей работе, с вакансиями»
  95. «ЭлектролюминесценцияЭлектролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами 3. Результаты расчета Если при слабых токах (|i| , d-1, d) для каждой частоты спектральная интенсивность ЭЛ I пропори их обсуждение циональна току,»
  96. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Генерация скользящих полупетель расщепленных дислокаций границами зерен в нанокристаллическом Al © С.В. Бобылев, М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178»
  97. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Особенности структуры и температурная стойкость шунгитового углерода к графитации © С.В. Холодкевич, В.И. Березкин, В.Ю. Давыдов Научно-исследовательский Центр экологической безопасности Российской академии»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии ¶ © Я. Партыка, П.В. Жуковский , П. Венгерэк, А. Родзик, Ю.В. Сидоренко , Ю.А. Шостак Люблинский технический»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Eu на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Er © М.М. Мездрогина¶, В.В. Криволапчу궶, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков»
  100. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Анализ эффекта квантовой интерференции упругого и неупругого рассеяния электронов в неупорядоченных средах © Б.Н. Либенсон, В.В. Румянцев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251»

Pages:     | 1 |   ...   | 82 | 83 |
84
| 85 | 86 |   ...   | 114 |
 
Книги по разным темам





наверх
 |  • Главная  |  • Контакты | 
© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.