WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
ГЛАВНАЯ
КАНДИДАТСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
ДОКТОРСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ
МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ
ОФОРМЛЕНИЕ КАНДИДАТСКОЙ
ДОКТОРАНТУРА
НАУЧНЫЕ ЖУРНАЛЫ
АВТОРЕФЕРАТЫ БЕЛОРУССИИ
ОФИЦИАЛЬНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
ОБРАЗОВАНИЕ КАЗАХСТАНА
СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ
КОНТАКТЫ
Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.

Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.
   Добро пожаловать!


Книги по разным темам

Книги (разное)

[8101-8200]

Pages:     | 1 |   ...   | 80 | 81 |
82
| 83 | 84 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg3In2Te6 © О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка Черновицкий государственный университет, 58012 Черновцы, Украина»
  2. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Спектрально-кинетические характеристики переходного поглощения в кристаллах фторида кальция © Е.П. Чинков, В.Ф. Штанько Томский политехнический университет, 634004 Томск, Россия (Поступила в Редакцию 12»
  3. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Эффект вскипания дырок и особенности магнитосопротивления полумагнитного полупроводника Hg1-xMnxTe1-ySey © Н.К. Леринман, П.Д. Марьянчук, А.И. Пономарев, Л.Д. Сабирзянова, Н.Г. Шелушинина Институт»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Электронные и структурные переходы в сплавах Pb1-xGexTe : Ga под давлением ¶ + + © Е.П. Скипетров , Е.А. Зверева, О.С. Волкова , А.В. Голубев , А.Ю. Моллаев , = Р.К. Арсланов , В.Е. Слынько»
  5. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников © П.Г. Лукашевич Белорусская государственная»
  6. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Проводимость ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов © Б.П. Адуев, В.Н. Швайко Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия E-mail: lira@kemsu.ru (Поступила в»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Особенности интерференции поляризованных лучей вблизи изотропной точки кристалла СdS © И.В. Бровченко, В.И. Романенко¶, В.И. Товстенко Институт физики Академии наук Украины, 03028 Киев, Украина»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN при большой мощности оптического возбуждения © А.Н. Грузинцев¶, А.Н. Редькин, C. Barthou Институт проблем технологии микроэлектроники Российской»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и резонансном поляризованном возбуждении © А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов Физико-технический»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Электронные свойства жидких материалов Tl2Te, Tl2Se, Ag2Te, Cu2Te и Cu2Se © В.М. Склярчук, Ю.А. Плевачук¶ Львовский национальный университет им. Ивана Франко, 79044 Львов, Украина (Получена 7»
  11. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием © В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова , В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ¶ © П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С.»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Случайный потенциальный рельеф и примесная фотопроводимость компенсированного германия © Ю.П. Дружинин, Е.Г. Чиркова¶ Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с X-долиной в AlAs-барьере, и пространственное распределение плотности вероятности их волновых функций © Е.Е. Вдовин¶, Ю.Н. Ханин»
  15. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния © В.С. Кортов, А.Ф. Зацепин, С.В. Горбунов, А.М. Мурзакаев Уральский государственный технический университет (УПИ), 620002 Екатеринбург, Россия »
  16. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Влияние рассеяния фононов на нейтральных и заряженных примесных центрах на теплопроводность решетки в PbTe: (Tl,Na) © М.К. Житинская, С.А. Немов, Ю.И. Равич Санкт-Петербургский государственный технический»
  17. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным облучением © С.В. Пляцко, В.П. Кладько Институт физики полупроводников Национальной»
  18. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Фотолюминесценция GaN: зависимость от интенсивности возбуждения © В.Н. Бессолов, В.В. Евстропов, М.Е. Компан, М.В. Меш Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe © П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин¶, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров»
  20. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Теплопроводность NaCl, находящегося в хаотически расположенных каналах пористого стекла © Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.В. Фокин, Х. Мисиорек , Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический институт им.»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Эволюция плотности состояний в процессе фазовых превращений пленок сульфотеллуридов кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях © А.П. Беляев, В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин»
  22. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Вклад неравновесных оптических фононов в эффекты Пельтье и Зеебека в полярных полупроводниках © Ю.В. Иванов, В.К. Зайцев, М.И. Федоров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO2 ¶ © Е.Б. Горохов, В.А. Володин , Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец,»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов © Е.В. Богданова, В.В. Козловский , Д.С. Румянцев , А.А. Волкова, А.А. Лебедев»
  25. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe © О.В. Вакуленко, В.Н.Кравченко, В.Д. Рыжиков, В.И.»
  26. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Структурная модификация синтетических опалов в процессе их термообработки © Э.Н. Самаров, А.Д. Мокрушин, В.М. Масалов, Г.Е. Абросимова, Г.А. Емельченко Институт физики твердого тела Российской академии»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами ¶ © А.И. Титов , П.А. Карасев, С.О. Кучеев Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  28. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах © Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев В.А.»
  29. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Движущиеся околощелевые солитоны в нелинейной оптической среде © А.С. Ковалев, О.В. Усатенко, А.В. Горбач Физико-технический институт низких температур, 310164 Харьков, Украина Харьковский национальный»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Электронная структура и спектральные характеристики клатратов Si46 и Na8Si46 ¶ © С.И. Курганский , Н.А. Борщ, Н.С. Переславцева Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия »
  31. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра–Блоджетт © Е.А. Багаев¶, К.С. Журавлев, Л.Л. Свешникова Институт физики полупроводников»
  32. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Слабая локализация в квантовых ямах p-типа © Н.С. Аверкиев, Л.Е. Голуб, Г.Е. Пикус Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 16»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO2 ¶ © В.А. Володин , М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов,»
  34. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах © Н.И. Кузнецов, J.A Edmond Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Cree»
  35. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок © А.Н. Образцов, И.Ю. Павловский, Х. Окуши, Х. Ватанабе Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Оптические и электрические свойства4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий © Е.В. Калинина¶, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, + † # А.О.»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с кремниевыми нанокристаллами © Д.М. Жигунов¶, О.А. Шалыгина, С.А. Тетеруков, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Zacharias Московский»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs ¶¶ © Г.Ф. Глинский , А.В. Андрианов, О.М. Сресели¶, Н.Н.»
  39. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Закон Фогеля–Фулчера — характерная особенность сегнетостекольной фазы в танталате калия, допированном литием © В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Национальной»
  40. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Усиление магнитоэлектрического эффекта в тонких сегнетоэлектрических слоях © И.Е. Чупис Физико-технический институт низких температур Национальной академии наук Украины, 61103 Харьков, Украина E-mail:»
  41. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние электрического поля в слое объемного заряда на эффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования в диодах Шоттки на основе арсенида галлия © Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В.»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Электронное поглощение поверхностных акустических волн квантовыми кольцами в магнитном поле ¶ © В.М. Ковалев, А.В. Чаплик Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Анизотропия магнитооптического поглощения комплексов квантовая точка–примесный центр ¶ © В.Д. Кревчик , А.Б. Грунин, Р.В. Зайцев Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия»
  44. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Долгоживущий сигнал индукции в антиферромагнетиках с динамическим сдвигом частоты ЯМР © В.С. Рухлов Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия E-mail:»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Исследование захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней © М.М. Соболев, И.В. Кочнев , В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов Физико-технический»
  46. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 О механизмах массопереноса при наноиндентировании © З.К. Саралидзе , М.В. Галусташвили, Д.Г. Дриаев Институт физики им. Э. Андроникашвили Академии наук Грузии, 0177 Тбилиси, Грузия E-mail: maxsvet@yahoo.com»
  47. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Переход в квазидвумерное магнитное состояние пленок Pd–Fe © Р.М. Мирзабабаев Газиантепский университет, 27310 Газиантеп, Турция E-mail: mirza@gantep.edu.tr (Поступила в Редакцию 3 августа 2000 г.В»
  48. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs © П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров,»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx, содержащих нанокристаллы кремния © И.В. Антонова¶, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В.»
  50. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение © Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н.»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs © Н.В. Крыжановская+¶, А.Г. Гладышев+, С.А. Блохин+, М.В.»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов ¶ © И.И. Абрамов , С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик Белорусский государственный университет информатики и»
  53. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Проявления неустойчивости пластического течения в микроструктуре кристаллов щелочных галоидов © Е.Б. Борисенко, А.Г. Мелентьев Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера ¶ © В.А. Бурдов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия»
  55. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN © В.Е. Бугров, О.В. Константинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si © Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, М.-О. Ruault Институт»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 X+-трион в системе с пространственным разделением носителей заряда © Р.А. Сергеев¶, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  58. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Исследование свойств двумерного электронного газа в гетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах ¶ © А.А. Лебедев , Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, И.И. Сайдашев, А.Н. Кузнецов,»
  59. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Спин-стекольное упорядочение аморфных сплавов Tb–Cr © О.В. Стогней, И.В. Золотухин, О. Рапп Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E:mail sto@sci.vrn.ru (Поступила в»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона © В.И. Зубков¶ Санкт-Петербургский»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs / AlxGa1-xAs © С.И. Борисенко¶ Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,»
  63. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 О кинетике медленной поляризации сегнетоэлектрического релаксора магнониобата свинца © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.В. Пронина Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333»
  64. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (начальная стадия) © М.А. Захаров , С.А. Кукушкин, А.В. Осипов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия »
  65. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Диаграмма состояний антиферромагнитного фторида кобальта © Е.М. Завражная, Г.К. Чепурных Институт прикладной физики Национальной академии наук Украины, 40030 Сумы, Украина E-mail: iapuas@gluk.aps.org»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100) +¶ + © А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский , В.М. Устинов , P. Werner= +»
  67. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiOx в процессе быстрого термического отжига © В.А. Данько, И.З. Индутный¶, В.С. Лысенко, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, А.Н. Назаров,»
  68. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Динамический отклик мезоскопической антиферромагнитной частицы на переменное магнитное поле © В.Ю. Голышев, А.Ф. Попков Научно-исследовательский институт физических проблем, 103460 Москва, Россия (Поступила в»
  69. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix © В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская Институт физики микроструктур Российской»
  70. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Фазовая диаграмма многослойных структур ферромагнетик–слоистый антиферромагнетик © А.И. Морозов, А.С. Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, 117454 Москва, Россия»
  71. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Влияние постоянного магнитного поля до 15 T на эффект Портевена–Ле Шателье в кристаллах NaCl : Eu © Л.Р. Дунин-Барковский, Р.Б. Моргунов, Y. Tanimoto Институт физики твердого тела Российской академии наук,»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик–металл © А.Б. Давыдов¶, Б.А.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Недиффузионная слабая локализация в двумерных системах со спин-орбитальным расщеплением спектра © М.М. Глазов¶, Л.Е. Голуб Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  74. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Особенности формирования гетерограниц (Al,Ga)Sb/InAs при молекулярно-пучковой эпитаксии © П.В. Неклюдов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, П.С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  75. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Шероховатость границ раздела слоев и фазовая диаграмма магнитных многослойных структур © А.И. Морозов, А.С. Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, 117454 Москва,»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 К теории фотоионизации глубоких примесных центров в параболической квантовой яме © В.Д. Кревчик, Р.В. Зайцев, В.В. Евстифеев Пензенский государственный университет, Пенза, Россия Пензенский»
  77. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магнониобата свинца © Е.П. Смирнова, С.Е. Александров, К.А. Сотников, А.А. Капралов, А.В. Сотников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками ¶ © М.В. Максимов , Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е.»
  79. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb © Ю.Б. Васильев, С.Д. Сучалкин, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, А.Ф. Цацульников, П.В. Неклюдов, П.С.»
  80. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Разность потенциалов и фотовольтаический эффект, возникающие вследствие деформации волновой функции электрона в GaAs-квантовой яме с тонким AlGaAs-барьером © Ю. Пожела, К. Пожела Semiconductor»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОП транзистора ¶ © В.А. Гергель, М.Н. Якупов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009»
  82. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Исследования распределения катионов в поверхностном слое и объеме пленок замещенных ферритов-гранатов © А.С. Камзин, Ю.Н. Мальцев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  83. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Магнитный вклад в температуру Дебая и решеточную теплоемкость редкоземельных ферромагнитных металлов (на примере гадолиния) © В.Ю. Бодряков, А.А. Повзнер, О.Г. Зелюкова Уральский государственный технический»
  84. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками © М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В.»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7 © И.И. Бурдиян, Э.А. Сенокосов, В.В. Косюк¶, Р.А. Пынзарь Приднестровский государственный университет»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Модель проводимости жгутов и пленок из углеродных нанотруб ¶ © В.Э. Каминский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия (Получена 16 сентября 1999 г.»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах © Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах © Н.Л. Баженов¶, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич,»
  89. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Подвижность доменных границ в пленках гранатов с малыми потерями © В.А. Боков, В.В. Волков, Н.Л. Петриченко, М. Марышко Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  90. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния © К.С. Журавлев¶, А.Ю. Кобицкий Институт физики полупроводников Сибирского отделения»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния © А.А. Нечитайлов¶, Е.В. Астрова, Ю.А. Кукушкина, С.Ю. Каменева+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  92. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Особенности ферромагнитного резонанса в пленках феррит-гранатов с ромбической магнитной анизотропией © В.В. Рандошкин, В.И. Козлов, В.Ю. Мочар, Н.В. Васильева, Н.А. Еськов, Ю.А. Дурасова Совместная»
  93. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости квантово-размерных слоев структур InAs / Ga(In)As, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии © В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Ю.Н.»
  94. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах © В.И. Белявский, Ю.В. Иванков, М.Н. Левин Воронежский государственный педагогический университет, 394043 Воронеж, Россия Воронежский государственный»
  95. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Особенности формы рамановских спектров в разупорядоченных сегнетоэлектриках © М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 03142 Киев, Украина E-mail:»
  96. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Массивы напряженных квантовых точек InAs в матрице (In,Ga)As, выращенные на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии © В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р.»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом †¶ † † © А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , Ю.Б. Самсоненко , И.П. Сошников , В.М. Устинов † Институт»
  98. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Особенности электронных свойств сплавов при изменении величины локальных магнитных моментов © В.И. Гребенников, Н.И. Коуров Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe © В.И. Стафеев¶, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, В.М. Акимов, Е.А.»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц © А.М. Иванов¶, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»

Pages:     | 1 |   ...   | 80 | 81 |
82
| 83 | 84 |   ...   | 114 |
 
Книги по разным темам





наверх
 |  • Главная  |  • Контакты | 
© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.