WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
ГЛАВНАЯ
КАНДИДАТСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
ДОКТОРСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ
МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ
ОФОРМЛЕНИЕ КАНДИДАТСКОЙ
ДОКТОРАНТУРА
НАУЧНЫЕ ЖУРНАЛЫ
АВТОРЕФЕРАТЫ БЕЛОРУССИИ
ОФИЦИАЛЬНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
ОБРАЗОВАНИЕ КАЗАХСТАНА
СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ
КОНТАКТЫ
Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.

Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.
   Добро пожаловать!
Книги по разным темам

Книги (разное)

[7401-7500]

Pages:     | 1 |   ...   | 73 | 74 |
75
| 76 | 77 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Ультрадисперсные алмазы в гальванотехнике © Г.К. Буркат, В.Ю. Долматов СКТБ „Технолог“, Санкт-Петербургский государственный технологический институт, 192076 Санкт-Петербург, Россия E-mail: alcen@comset.net»
  2. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 О создании концентрационных решеток в электронно-дырочной плазме при ее дрейфе в высокочастотном электрическом поле © В.Л. Борблик Институт физики полупроводников Национальной академии наук»
  3. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах © О.Е. Квятковский Институт химии силикатов им И.В.Гребенщикова Российской академии наук, 199155 Санкт-Петербург, Россия»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках © Б.М. Павлишенко¶, Р.Я. Шувар Львовский национальный университет им. Ивана Франко (физический»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Магнитооптика квантовых ям с D(-)-центрами © В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, Вас.В. Евстифеев Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия (Получена 13 октября 2005 г. Принята к»
  6. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Нелинейные волны в цепочке плоскопараллельных доменных границ в ферромагнетике © М.А. Шамсутдинов, С.Э. Рахимов, А.Т. Харисов Башкирский государственный университет, 450074 Уфа, Россия E-mail:»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Роль вакансий кремния в формировании барьеров Шоттки на контактах Ag и Au с 3C- и 6H-SiC © С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник , Ю.М. Таиров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Рентгеновские исследования порошков нанопористого углерода, полученных из карбида кремния © Э.А. Сморгонская, Р.Н. Кютт, А.В. Щукарев†, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская Физико-технический институт»
  9. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами © К.М. Дощанов Физико-технический институт Научно-производственного объединения ”Физика–Солнце” Академии»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Спонтанная и стимулированная ультрафиолетовая люминесценция ZnO : N при температуре 77 K ¶ + © А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев , E.E. Якимов , C. Barthou , P. Benalloul+ Физический институт им.»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Определение концентрации глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней © Е.Н. Агафонов, А.Н. Георгобиани¶, Л.С. Лепнев Физический институт»
  12. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Ударноволновое спекание наноалмазов © В.В. Даниленко ЗАО „АЛИТ“, 03067 Киев, Украина E-mail: vvdan@list.ru Предложена и успешно опробована двухстадийная технология спекания ультрадисперсных алмазов»
  13. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Особенности локализации фононов вблизи поверхности низкотемпературного антиферромагнетика © С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (В окончательном»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Эффективное управление фотоэлектрическими свойствами полиимидов, содержащих трифениламин © Л.П. Казакова¶, Е.Л. Александрова, А.В. Чернышев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  15. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) ¶¶ © С.Н. Гриняев , А.Н. Разжувалов¶ Сибирский физико-технический институт при Томском»
  16. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Автосолитоны в InSb в магнитном поле © И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики им. Х.И. Амирханова, 367003 Махачкала, Россия (Получена 26 мая 1997 г. Принята к печати 23 декабря»
  17. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл–диэлектрик–полупроводник с учетом тока через диэлектрик © Л.С. Берман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  18. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs © Н.Н. Григорьев, Т.А. Кудыкина Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина (Получена 23 апреля 1996 г.»
  19. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Теория электроакустического эха в монокристаллах сегнетоэлектриков типа порядок–беспорядок © В.А. Попов, А.Р. Кессель, С.С. Лапушкин Казанский физико-технический институт, 420029 Казань, Россия (Поступила в»
  20. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Наноалмазы для биологических исследований © В.С. Бондарь, А.П. Пузырь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail: apuzyr@mail.ru Сообщается о»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых при низкой температуре © А.Я. Виноградов¶, А.Н. Андронов, А.И. Косарев, А.С. Абрамов Физико-технический институт»
  22. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом © В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.В. Батунина, В.Н. Головина, Л.В. Арапкина, Н.Б. Тюрина, А.С. Гуляева, М.Г. Мильвидский Государственный»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии ¶ © Н.Л. Попов , Ю.А. Успенский, А.Г. Турьянский, И.В. Пиршин, А.В. Виноградов, Ю.Я.»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами © А.В. Герус¶, Т.Г. Герус Фрязинский институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Россия (Получена 2»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллитах PbTe ¶ † © А.И. Белогорохов , Л.И. Белогорохова , Д.Р. Хохлов , С.В. Лемешко Государственный научный центр „Гиредмет“, 109017 Москва,»
  26. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Спонтанное излучение и упругое рассеяние света экситонами квантовой ямы в микрорезонаторе Фабри–Перо © В.А. Кособукин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  27. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Precursors for CVD growth of nanocrystalline diamond © T. Soga, T. Sharda , T. Jimbo Department of Environmental Technology and Urban Planning, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan »
  28. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Токовая неустойчивость в солнечных элементах на основе a-Si : H, возникающая после их засветки © Э.Н. Воронков¶ Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия (Получена 9 ноября 2000»
  29. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Экспериментальное проявление коррелированных прыжков в температурных зависимостях проводимости легированного CdTe © Н.В. Агринская, В.И. Козуб Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  30. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Кинетика перераспределения примеси в квазипериодических структурах, возникающих в сильно легированном бором кремнии, облученном ионами бора © А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г.»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах ¶ © А.И. Климовская , Ю.А. Дрига, Е.Г. Гуле, О.А. Пикарук Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Высокотемпературная сверхпроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках © А.В. Приходько, К.Д. Цэндин¶, Б.П. Попов Санкт-Петербургский государственный технический университет,»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния -излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs © А.В. Бобыль¶, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А.»
  34. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Примесные атомы эрбия в кремнии © В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург,»
  35. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии © М.С. Юнусов, М. Каримов, Б.Л. Оксенгендлер, А. Юсупов Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, 702132 Улугбек, Узбекистан»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Электронные состояния в сверхрешетках (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N © Г.Ф. Караваев¶, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Фотонные кристаллы с перестрaиваемой запрещенной зоной на основе заполненных и инвертированных композитов опал–кремний © В.Г. Голубев¶, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Влияние адсорбированных молекул на спектр носителей в полупроводниковом нанопроводе +¶ +¶¶ © В.А. Лыках , Е.С. Сыркин + Национальный технический университет „Харьковский политехнический»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур с учетом флуктуационной и туннельной теоретических моделей © Н.А. Авдеев¶, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев Петрозаводский»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонным легированием ¶ © Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский , В.Г. Мокеров, В.А. Кульбачинский , Р.А. Лунин , И.С. Васильевский»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Исследование коэффициента отражения от полупроводниковой сверхрешетки, помещенной в магнитное поле © А.А. Булгаков¶, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук»
  42. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Высокочастотное спин-зависящее туннелирование в нанокомпозитах © А.Б. Грановский, А.А. Козлов, Т.В. Багмут , С.В. Недух , С.И. Тарапов , Ж.П. Клерк Московский государственный университет им. М.В.»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs © В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела , К. Пожела , В. Юцене Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Процессы самоорганизации и оптическая активация ионов Er в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного Er © М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова»
  45. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe † © П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак Люблинский технический университет, Люблин,»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах ¶ © В.Л. Зерова , Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург,»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур + © Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф , Ю.И. Романов , С.А. Рыков+ Физико-технический институт»
  48. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления © Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев¶, М.А. Ременный, Н.М. Стусь Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Резонансный перенос носителей заряда через ловушечные состояния в диэлектрике в периодических наноструктурах Si/CaF2 ¶ © Ю.А. Берашевич , А.Л. Данилюк, В.Е. Борисенко Белорусский государственный»
  51. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Аномально высокие фотонапряжения в молибдате тербия © Б.К. Пономарев, И.А. Корнев, В.Д. Негрий, Г.М. Виздрик, Б.С. Редькин Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  52. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Co+ и Fe+ в кремний © Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, В.А. Жихарев, В.А. Шустов, И.Б. Хайбуллин Казанский физико-технический»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Исследование квантовых ям InxGa1-xAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии © С.В. Евстигнеев, Р.М. Имамов+, А.А. Ломов+, Ю.Г. Садофьев¶, Ю.В. Хабаров,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 © С.И. Борисенко, В.Ю. Рудь†, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютерев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  55. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрического кристалла ТГС © А.С. Сидоркин, Н.Ю. Пономарева, С.Д. Миловидова, А.С. Сигов Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж,»
  56. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Получение резин, стойких к взрывной декомпрессии, с использованием углерода детонационного синтеза © Л.А. Акопян, М.Н. Злотников, Б.В. Румянцев , Н.Л. Абрамова, М.В. Зобина, Т.Л. Мордвинцева ОАО»
  57. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Автолокализованные состояния носителей и диэлектрический гистерезис в неупорядоченных дипольных системах © М.Д. Глинчук, В.А. Стефанович, Л. Ястрабик Институт проблем материаловедения Академии наук Украины,»
  58. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами © А.Н. Вороновский, Е.М. Дижур, Е.С. Ицкевич, Л.М. Каширская, Р.А. Стрэдлинг Институт физики высоких»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs + =¶ + = = =• © В.Г. Талалаев , J.W. Tomm , N.D. Zakharov , P. Werner , Б.В. Новиков , Г.Э. Цырлин , • =• • • Ю.Б. Самсоненко , А.А.»
  60. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле при 4.2 K © А.М. Мусаев Институт физики им. Х.И.Амирханова, Дагестанского научного центра Российской»
  61. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова © О.В. Анисимов¶, В.И. Гаман, Н.К. Максимова, С.М. Мазалов, Е.В. Черников Сибирский»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах © В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов Институт физики микроструктур»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe ¶ © М.Я. Валах , Н.В. Вуйчик, В.В. Стрельчук, С.В. Сорокин , Т.В. Шубина , С.В. Иванов , П.С. Копьев Институт физики»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Тонкая структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота пленок GaN : Mg и электролюминесцентные гетероструктуры ZnO–GaN : Mg на их основе © А.Н. Георгобиани, А.Н.»
  65. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Электронная структура наноразмерных металлических кластеров © И.В. Бажин, О.А. Лещева, И.Я. Никифоров Донской государственный технический университет, 344010 Ростов-на-Дону, Россия E-mail: ib_rnd@mail.ru»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Самоупорядоченные микрорезонаторы в сверхмелких кремниевых p+-n-переходах © Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  67. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Интерфейсные эффекты и формирование оптических свойств ансамблей структурно-изолированных квантовых нитей InP © С.Г. Романов, Н.М. Йатс, М.И. Пембл, Д.Р. Аггер, М.В. Андерсон, К.М. Сотомайор Торрес, В.Ю.»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре +¶ + + © А.А. Герасимович , С.В. Жоховец , Г. Гобш , Д.С. Доманевский Белорусский»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Роль слоев Al0.3Ga0.7As, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As в режиме квантового эффекта Холла ¶ † © И.Л. Дричко , А.М. Дьяконов , И.Ю. Смирнов ,»
  70. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле © О.В. Кибис Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия (Получена 7»
  71. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Nano-polishing of silicon wafers using ultra-dispersed diamonds © T. Kurobe, T. Fujimura, H. Ikeda Vision Development Company Limited, Tokyo 104-0031, Japan Institute of Development of Raw Materials and»
  72. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме © Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом ¶ © А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков , О.Э. Рут, А.В. Германенко, »
  74. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe © Л.А. Косяченко¶ Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена»
  75. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Глубокие состояния в -легированном кремнием GaAs © В.Я. Алешкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний»
  76. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Динамика нелинейного прецессионного движения намагниченности в феррит-гранатовой пленке типа (100) © А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:»
  77. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Температурная зависимость спектров плазменного отражения кристаллов висмут–сурьма © В.М. Грабов, Н.П. Степанов Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, 191186»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе ¶ © Н.А. Поклонский , Е.Ф. Кисляков, С.А. Вырко Белорусский государственный»
  79. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Luminescence of Excitons in Slightly Asymmetric Double Quantum Wells © A.V. Akimov, E.S. Moskalenko, A.L. Zhmodikov, D.A. Mazurenko, A.A. Kaplyanskii, L.J. Challis, T.S. Cheng, C.T. Foxon A.F.Ioffe»
  80. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы © В.Г. Иванов, В.И. Панасенков, Г.В. Иванов Центральный научно-исследовательский институт ”Электрон”, 194223»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1.3-1.55 мкм © Н.В. Крыжановская¶, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф.»
  82. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Применение наноалмазов для разделения и очистки белков © В.С. Бондарь, И.О. Позднякова, А.П. Пузырь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail:»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Баллистическая проводимость квантовой проволоки при конечных температурах © Н.Т. Баграев, В.К. Иванов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  84. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Температурные исследования диэлектрических характеристик жидкого кристалла 5СВ в области релаксации © Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 © Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум , А.Н. Михайлов Институт физики полупроводников Сибирского»
  86. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Электрон-фононное взаимодействие и подвижность электронов в квантово-размерных структурах II типа PbTe / PbS © В.В. Бондаренко, В.В. Забудский, Ф.Ф. Сизов Институт физики Национальной академии наук»
  87. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца © И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплыгина, В.П. Афанасьев , А.В. Панкрашкин Физико-технический»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге © В.Н. Брудный¶, Н.Г. Колин¶¶, Д.И. Меркурисов, В.А. Новиков Сибирский физико-технический институт им. В.Д.»
  89. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Создание люминесцентного биочипа с использованием наноалмазов и бактериальной люциферазы © А.П. Пузырь, И.О. Позднякова, В.С. Бондарь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036»
  90. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Структура алмазного нанокластера © А.Е. Алексенский, М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.И. Сиклицкий Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила»
  91. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x = 0.2 0.3) с тонкопленочным алюминиевым покрытием © Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, Атеш Тезер, Н.Д. Исмайлов Институт фотоэлектроники Академии наук»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD ¶ + © О.И. Шевалеевский , S.Y. Myong , K.S. Lim , S. Miyajima , M. Konagai+»
  93. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Теплопроводность нанокомпозита опал+эпоксидная смола при низких температурах © В.Н. Богомолов, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек, А. Ежовский Физико-технический институт им. А.Ф.»
  94. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Особенности сегрегации углерода на поверхности вольфрама © Н.Д. Потехина, Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах ¶ © С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, 68001 Ильичевск, Украина»
  96. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Влияние размеров кристаллов на межатомные расстояния в дисперсном углероде © Е.А. Беленков, Е.А. Карнаухов Челябинский государственный университет, 454136 Челябинск, Россия E-mail: belenkov@cgu.chel.su»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge ¶ © С.Ю. Паранчич , Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, Ю.В. Танасюк, М.Д. Андрийчук, В.Р. Романюк Черновицкий национальный университет,»
  98. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния © П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович Московский государственный университет им.»
  99. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии © А.С. Сидоркин, А.С. Сигов , А.М. Ховив, О.Б. Яценко, В.А. Логачева Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж,»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti–n-GaAs © Д.Н. Захаров¶, В.М. Калыгина, А.В. Нетудыхатко, А.В. Панин+¶¶ Сибирский»

Pages:     | 1 |   ...   | 73 | 74 |
75
| 76 | 77 |   ...   | 114 |
 
Книги по разным темам

наверх











 |  • Главная  |  • Контакты | 
© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.