WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
ГЛАВНАЯ
КАНДИДАТСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
ДОКТОРСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ
МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ
ОФОРМЛЕНИЕ КАНДИДАТСКОЙ
ДОКТОРАНТУРА
НАУЧНЫЕ ЖУРНАЛЫ
АВТОРЕФЕРАТЫ БЕЛОРУССИИ
ОФИЦИАЛЬНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
ОБРАЗОВАНИЕ КАЗАХСТАНА
СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ
КОНТАКТЫ
Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.

Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.

   Добро пожаловать!
Книги по разным темам

Книги (разное)

[7201-7300]

Pages:     | 1 |   ...   | 71 | 72 |
73
| 74 | 75 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Минизонные спектры в сверхрешетках (AlAs)M(GaAs)N (111) © Г.Ф. Караваев¶, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск,»
  2. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi0.88Sb0.12 © С.А. Алиев, А.А. Мовсум-заде, С.С. Рагимов Институт физики Академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан»
  3. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Исследование взаимодействий поверхностных состояний меди с переходными металлами и цезием , © Д.В. Чудинов , С.Е. Кулькова , И.Ю. Смолин Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия Институт»
  4. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Фотолюминесценция пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+ ©И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фельсков, В. Скорупа Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия ¶ ¶¶ © К.Д. Глинчук , Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева»
  6. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности © Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский,»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Прыжковая энергетическая релаксация с учетом всевозможных межцентровых переходов © А.А. Киселев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит ¶ © И.А. Карпович , А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О.»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Фотолюминесценция ( = 1.3 мкм) при комнатной температуре квантовых точек InGaAs на подложке Si (100) © Т.М. Бурбаев, И.П. Казаков¶, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, В.А. Цветков, В.И. Цехош Физический»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелыми ионами высоких энергий † © С.А. Смагулова, И.В. Антонова , Е.П. Неустроев, В.А. Скуратов Якутский государственный»
  11. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Контактные явления в двумерных электронных системах © В.Б. Шикин, Н.И. Шикина Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия (Получена 13 марта 1996 г. Принята»
  12. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Особенности аппроксимации диэлектрических спектров жидких кристаллов группы алкилцианобифенилов © Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов, В.Н. Шепов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения»
  13. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Фуллерены как зародыши сажевых частиц © В.И. Березкин Научно-исследовательский центр экологической безопасности Российской академии наук, 197110 Санкт-Петербург, Россия E-mail: VIB@VF4493.spb.edu (Поступила»
  14. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Нанокластеры меди в аморфном гидрированном углероде © В.И. Иванов-Омский, В.И. Сиклицкий, С.Г. Ястребов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт–Петербург, Россия»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Зависимость свойств кристаллов Cd1-xZnxTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода © Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, В.К. Комарь, В.Г. Галстян, В.С.»
  16. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 3 Фотопревращения в пленках полисиланов © Ю.А. Скрышевский, А.Ю. Вахнин Институт физики Академии наук Украины, 03039 Киев, Украина E-mail: kadash@iop.kiev.ua (Поступила в Редакцию 10 мая 2000 г.) Исследованы»
  17. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Резонансное туннелирование и нелинейный ток в гетеробарьерах со сложным законом дисперсии носителей † ¶ © Ч.С. Ким , А.М. Сатанин , В.Б. Штенберг Нижегородский государственный университет им.»
  18. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Анализ изменений интенсивности собственной люминесценции, происходящих после диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы арсенида галлия © Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Проявление верхней зоны Хаббарда в проводимости двумерных структур p-GaAs–AlGaAs © Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  20. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике © О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Б.В. Царенков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев.Фотолюминесценция структур с электронными -легированными слоями © Ю.В. Хабаров¶,»
  22. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Резонансное туннелирование дырок в двубарьерных структурах с квантовыми точками InAs в центре квантовой ямы GaAs ¶ + © Е.Н. Морозова , О.Н. Макаровский , В.А. Волков , Ю.В. Дубровский , L.»
  23. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Дифференциальное сопротивление туннельных контактов Au/GaAs1-xSbx в области нулевой аномалии.I. Контакты к n-GaAs1-xSbx © Т.А. Полянская, Т.Ю. Аллен1, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов, И.Г. Савельев»
  24. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в CdxHg1-xTe p-типа проводимости © С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский Институт физики полупроводников Национальной академии»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Многоканальное рассеяние носителей заряда на гетероструктурах с квантовыми ямами ¶ © В.И. Галиев, А.Н. Круглов, А.Ф. Полупанов , Е.М. Голдис , Т.Л. Тансли Институт радиотехники и электроники»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Пороговый характер формирования наноразмерных островков в системе Ge/Si (100) в присутствии сурьмы ¶ © Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский , А.А. Тонких, Н.В. Сибирев, В.М. Устинов , P. Werner†»
  27. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Электронный транспорт в условиях ванье–штарковской локализации в политипах карбида кремния © В.И. Санкин, И.А. Столичнов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук 194021»
  28. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs © Д.С. Сизов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, А.А. Тонких, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, А.П.»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Нелинейное взаимодействие волн в полупроводниковой сверхрешетке © А.А. Булгаков¶, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 61085»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Геометрическая структура и спектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц ¶ © С.И. Курганский , Н.А. Борщ Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия»
  31. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Введение Из истории открытия синтеза наноалмазов © В.В. Даниленко ЗАО „АЛИТ“, 03067 Киев, Украина E-mail: vvdan@list.ru Излагается история открытия синтеза наноалмазов, исследования их свойств, применения и»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs ¶ © И.А. Карпович , С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков Нижегородский государственный университет им. Н.И.»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами © Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский,»
  34. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix с квантовыми ямами © В.Я. Алешкин, Б.А. Андреев, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов Институт физики»
  35. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Влияние интенсивности излучения на спектр краевого поглощения ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4 © Л.Л. Голик, З.Э. Кунькова Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  36. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Энергия связи экситонно-примесных комплексов в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки © С.М. Зубкова, Е.В. Смелянская, Е.И. Шульзингер Институт проблем материаловедения им. И.Н.»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Модель многоостровковых одноэлектронных цепочек на основе метода Монте-Карло © И.И. Абрамов¶, С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,»
  38. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Фотолюминесценция кристаллического ZnTe, выращенного при отклонении от термодинамического равновесия © В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, В.С. Кривобок Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах © Н.С. Грушко, Е.А. Логинова, Л.Н. Потанахина Ульяновский государственый университет, 432970 Ульяновск, Россия,»
  40. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Технология получения и очистки детонационных наноалмазов Детонационные алмазы в Украине © Н.В. Новиков, Г.П. Богатырева, М.Н. Волошин Институт сверхтвердых материалов Национальной академии наук Украины,»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Люминесценция ступенчатых квантовых ям в структурах GaAs/GaAlAs и InGaAs/GaAs/GaAlAs + + © В.Ф. Агекян, Ю.А. Степанов, И. Акаи , Т. Карасава , Л.Е. Воробьев , Д.А. Фирсов , = = А.Е. Жуков ,»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Функция распределения горячих носителей заряда при резонансном рассеянии +, +, +, © А.А. Прокофьев , М.А. Одноблюдов , И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  43. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием © Т.Ю. Аллен1, Т.А. Полянская Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии †¶ † © Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский†, Н.В. Сибирев , И.П. Сошников†, Ю.Б. Самсоненко , А.А.»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами © С.И. Борисенко¶ Сибирский физико-технический институт им.»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Энергетическое состояние экситонов и спектры фотолюминесценции напряженных сверхрешеток ZnS–ZnSe © Н.В. Бондарь, В.В. Тищенко¶, М.С. Бродин Институт физики Национальной академии наук Украины,»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области © В.С. Сизов¶, Д.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф.»
  48. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Термоэдс серы при высоком давлении © В.В. Щенников, С.В. Овсянников Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия (Поступила в Редакцию 25 марта 2002»
  49. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Состояние и перспективы использования наноалмазов детонационного синтеза в Белоруссии © П.А. Витязь Национальная академия наук Белоруссии, Минск, Белоруссия E-mail: vitiaz@presidium.bas-net.by Рассмотрены»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs / AlxGa1-xAs (110) © Г.Ф. Караваев¶, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном»
  51. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении © Е. Шатковский, Я. Верцинский Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 9 марта 1996 г. Принята к»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации ¶ + = © Ю.Н. Пархоменко , А.И. Белогорохов , Н.Н. Герасименко , А.В. Иржак, М.Г. Лисаченко Московский»
  53. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Дисперсионная нелинейность и бистабильность полярных сред © Ч.С. Ким, А.М. Сатанин, В.Б. Штенберг Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия E-mail:»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Электронный транспорт в естественной сверхрешетке карбида кремния в режиме квантования Ванье–Штарка:фундаментальные и прикладные аспекты ¶ © В.И. Санкин , П.П. Шкребий Физико-технический»
  55. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом © В.Е. Примаченко¶, Я.Ф. Кононец, Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Э.Г.»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Бесфононные и дипольные -X-переходы электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле © В.Я. Алешкин¶, А.А. Андронов Институт физики микроструктур»
  57. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Современные промышленные возможности синтеза наноалмазов © В.Ю. Долматов, М.В. Веретенникова, В.А. Марчуков, В.Г. Сущев ЗАО „Алмазный центр“, 192076 Санкт-Петербург, Россия E-mail: alcen@comset.net Описаны»
  58. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Транспортные свойства магнитоэкситона в связанных квантовых ямах © Ю.Е. Лозовик, А.М. Рувинский Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Россия Московский государственный»
  59. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния © С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов Физико-технический инстититут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Спектр электрона в квантовой яме в сильных наклонном магнитном и поперечном электрическом полях ¶ © М.П. Теленков, Ю.А. Митягин Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Спектр и электрон-фононное взаимодействие в среде с цилиндрической квантовой проволокой © Н.В. Ткач, В.П. Жаркой Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, 274012 Черновцы,»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Вертикальный транспорт горячих электронов в сверхрешетках GaAs/AlAs © Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега¶, В.М. Устинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем © Г.Б. Галиев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, В.А. Страхов, Г.Н. Шкердин, Н.Г.»
  64. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Аномальная нелинейность ИК-фотопроводимости алмазной поликристаллической пленки © В.В. Токий, В.И. Тимченко, В.А. Сорока Донбасская государственная академия строительства и архитектуры, 86123 Макеевка,»
  65. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Поляризационная анизотропия оптических межзонных переходов в напряженных InGaAs/GaAs квантовых нитях © С.А. Гуревич, Д.А. Закгейм, С.А. Соловьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  66. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Synthesis Mechanism and Technology of Ultrafine Diamond from Detonation © Huang Fenglei , Tong Yi, Yun Shourong The National Key Laboratory of Explosion and Safety Science, Beijing Institute of Technology,»
  67. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Эффективное сечение возбуждения эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии при оптической накачке © М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф.»
  68. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Метастабильное оптическое поглощение релаксированных электронных возбуждений в кристаллах BeO–Zn © С.В. Горбунов, К.В. Баутин, В.Ю. Яковлев, А.В. Кружалов Уральский государственный технический университет,»
  69. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Туннелирование электронов между двумерными электронными системами в гетероструктуре с одиночным легированным барьером © В.Г. Попов, Ю.В. Дубровский, Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, Д.К. Мауд, Ж.-К.»
  70. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Особенности спектров электронов и дырок в открытой сферической наногетероструктуре (на примере GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs) © Н.В. Ткач, В.А. Головацкий, О.Н. Войцеховская Черновицкий государственный»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок a-SiC : H ¶ © А.В. Васин , А.В. Русавский, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, В.И. Кушниренко,»
  72. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Возбуждение люминесценции автолокализованных экситонов при рекомбинации френкелевских дефектов в BeO © С.В. Горбунов, В.Ю. Яковлев Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург,»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок © В.Н. Головач, Г.Г. Зегря, А.М. Маханец, И.В. Пронишин, Н.В. Ткач Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах © А.А. Тонких,¶, Г.Э. Цырлин,, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко,†, В.М.»
  75. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах © Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова¶, Д.А. Фирсов Санкт-Петербургский государственный политехнический»
  76. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Поглощение и рассеяние света в квазинульмерных структурах.II. Поглощение и рассеяние света на одночастичных локальных состояниях носителей заряда © С.И. Покутний Украинский государственный морской технический»
  77. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Распространение теплового импульса в ограниченной проводящей среде: термоэлектрическое детектирование © Альваро Ф. Карбалло Санчес, Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов, Ю.В. Дрогобицкий, О.Ю. Титов Centro de»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния © И.В. Закурдаев¶, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев Рязанская государственная радиотехническая»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs © А.Н. Пихтин¶, О.С. Комков, К.В. Базаров Санкт-Петербургский государственный»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Моделирование электрических свойств поликристаллических керамических полупроводников с субмикрометровыми размерами зерен ¶ © И.В. Рожанский , Д.А. Закгейм Физико-технический институт им. А.Ф.»
  81. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb–As © М.Н. Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова, В.В. Постников, Б.Л. Агапов Воронежский государственный университет,»
  82. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs © А.С. Батырев, В.В. Джамбинов, А.Е. Чередниченко Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста, Россия Научно-исследовательский»
  83. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Получение, свойства и применение фракционированных наноалмазов © С.И. Чухаева Российский федеральный ядерный центр–Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И.»
  84. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Влияние поперечной неоднородности тока накачки и распределения поля на динамические характеристики полосковых инжекционных лазеров © С.А. Гуревич, Г.С. Симин, М.С. Шаталов Физико-технический»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Гетероструктуры с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек для источников оптического излучения диапазона длин волн 1.3 мкм © Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М.»
  86. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Исследование фотоэдс в структурах пористый Si /Si методом импульсного фотонапряжения © В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Т. Дитрих Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 О влиянии процесса окисления на эффективность и спектр люминесценции пористого кремния © Б.М. Булах, Н.Е. Корсунская¶, Л.Ю. Хоменкова, Т.Р. Старая, М.К. Шейнкман Институт физики полупроводников»
  88. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Акустоэмиссионное зондирование линейных дефектов в кремнии © А.А. Скворцов, А.М. Орлов, А.А. Соловьев Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия (Поступила в Редакцию 14 июля 2000 г.В»
  89. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Люминесцентные свойстава слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния © А.С. Зубрилов, Ю.В. Мельник, Д.В. Цветков, В.Е. Бугров, А.Е.»
  90. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Особенности колебательных спектров алмазоподобных и полимероподобных пленок a-C : H © Е.А. Коншина¶, А.И. Вангонен Всероссийский научный центр „ГОИ им. С.И. Вавилова“, 199034 Санкт-Петербург,»
  91. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Теоретическое и экспериментальное исследование влияния внешней нагрузки на поры в твердых телах © В.И. Бетехтин, С.Ю. Веселков , Ю.М. Даль, А.Г. Кадомцев, О.В. Амосова Физико-технический институт им. А.Ф.»
  92. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Дисперсионные характеристики алмаза в жестком рентгеновском диапазоне длин волн © А.Г. Турьянский, И.В. Пиршин, Р.А. Хмельницкий, А.А. Гиппиус Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,»
  93. «.Работа выполнена при поддержке Фонда фундаментальных исследований Государственного комитета по науке и технике Украины, грант № 2.3/122 (”Простiр”).Список литературы [7201-7300] З.С. Грибников, В.В. Митин. Письма ЖЭТФ, 14, 272 (1971).[7201-7300] М. Аше, З.С.»
  94. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов ,¶ © А.А. Ефремов , Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т.»
  95. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Модификация поверхности и физико-химические свойства наноалмазов Химия поверхности наноалмазов © И.И. Кулакова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия E-mail:»
  96. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 О влиянии поперечных возмущений на движение краевой дислокации © А.Н. Бугай, С.В. Сазонов Калининградский государственный университет, 236041 Калининград, Россия E-mail: foton1@baltnet.ru (Поступила в»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Возникновение электроусталости в МОП структурах в результате снижения высоты потенциального барьера при полевой ионизации атомов диэлектрика © И.С. Савинов¶ Московский энергетический институт,»
  98. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Особенности упругих свойств слоистых кристаллов © Н.А. Абдуллаев Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан E-mail: anadir@azintex.com (Поступила в Редакцию 26 апреля»
  99. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO © В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова Саратовский государственный университет, Саратов, Россия (Получена 12»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов ¶ + © Н.И. Бочкарева , E.A. Zhirnov , А.А. Ефремов , Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер»

Pages:     | 1 |   ...   | 71 | 72 |
73
| 74 | 75 |   ...   | 114 |
 
Книги по разным темам



наверх
 |  • Главная  |  • Контакты | 
© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.