WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
ГЛАВНАЯ
КАНДИДАТСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
ДОКТОРСКИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ
НАУЧНЫЕ СТАТЬИ
МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ
ОФОРМЛЕНИЕ КАНДИДАТСКОЙ
ДОКТОРАНТУРА
НАУЧНЫЕ ЖУРНАЛЫ
АВТОРЕФЕРАТЫ БЕЛОРУССИИ
ОФИЦИАЛЬНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
ОБРАЗОВАНИЕ КАЗАХСТАНА
СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ
КОНТАКТЫ
Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.

Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.
   Добро пожаловать!
Книги по разным темам

Книги (разное)

[6701-6800]

Pages:     | 1 |   ...   | 66 | 67 |
68
| 69 | 70 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением © Э.Б. Каганович¶, Э.Г. Манойлов, Е.В. Бегун Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева»
  2. «AbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbrikosov, V.B. Bankina, L.V. Portskaya, L.E. Shelimova, E.V. Skudnova. Semiconducting II–VI, IV–VI, and V–VI compounds (Plenum, N.Y.,»
  3. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка © Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Н.Д. Недеогло, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич Молдавский государственный»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии © В.Б. Шмагин¶, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, В.П.»
  5. «Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Перенос заряда в тонких полимерных пленках полиариленфталидов © Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, А.А. Бунаков Башкирский государственный педагогический университет, 450000 Уфа, Россия Институт физики молекул и»
  6. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния ¶ © В.А. Гридчин, В.М. Любимский Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Фото- и электролюминесценция вблизи 1.3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs © А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Б.В. Воловик, М.В. Максимов, А.Ф.»
  8. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Низкотемпературная теплоемкость и теплопроводность монокристаллов синтетического опала © В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисёрек, А. Ежовский, А.И. Кривчиков, Б.И. Веркин»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Люминесценция наностержней оксида цинка © Г.А. Емельченко¶, А.Н. Грузинцев, А.Б. Кулаков, Э.Н. Самаров, И.А. Карпов, А.Н. Редькин , Е.Е. Якимов , C. Barthou+ Институт физики твердого тела»
  10. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинационные параметры слоев GaAs © И.А. Карпович, М.В. Степихова Нижегородский государственный университет»
  11. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Различия в атомном окружении неэквивалентных узлов в структурах политипов SiC © А.Е. Мадисон Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Оптическое поглощение в (Pb0.78Sn0.22)1-XInXTe (X = 0.001-0.005) © А.Н. Вейс Санкт-Петербургский технический университет, 195251 Санкт-Петербуг, Россия (Получена 18 июня 2001 г. Принята к печати»
  13. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1 Акустические исследования плавления и затвердевания галлия, введенного в матрицу опала © J.M. Dereppe, Б.Ф. Борисов, Е.В. Чарная, А.В. Шеляпин, М.М. Нассар, Ю.А. Кумзеров Научно-исследовательский институт»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Поверхностное геттерирование фоновых примесей и дефектов в пластинах GaAs © Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин¶, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт Физико-технический институт им.»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками © М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин Физико-технический»
  16. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Температурные зависимости диэлектрических свойств литий-титановой ферритовой керамики © А.В. Малышев, В.В. Пешев, А.М. Притулов Томский политехнический университет, 634034 Томск, Россия E-mail:»
  17. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Из истории науки Обменное давление и приближение Вигнера–Зейтца1 © Н.А. Дмитриев Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607180»
  18. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Скорость звука в монокристаллах синтетических опалов © В.Н. Богомолов, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова, Г. Брулс Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Примесные состояния олова в твердых растворах Bi2Te3-xSex (x = 0.06, 0.12) + © М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова , Е. Мюллер Санкт-Петербургский государственный политехнический»
  20. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs ,¶ ,+ + + © Д.А. Козлов , З.Д. Квон , А.К. Калагин , А.И. Торопов Новосибирский государственный»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Распределение носителей заряда в диссипативной структуре в полупроводниках © И.К. Камилов, А.А. Степуренко¶, А.С. Ковалев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,»
  22. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения © Л.П. Авакянц¶, П.Ю. Боков, А.В. Червяков Московский государственный университет им. М.В.»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (Pb1-xSnx)1-zInzTe + © С.А. Немов, П.П. Серегин, В.П. Волков, Н.П. Серегин , Д.В. Шамшур Санкт-Петербургский»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур © Н.Л. Баженов¶, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников © В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов Институт физики полупроводников»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Влияние импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния p-типа ¶ © В.А. Гридчин, В.М. Любимский Новосибирский государственный технический»
  27. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Поверхность Ферми и электрофизические характеристики дисилицида молибдена © С.И. Курганский, Н.С. Переславцева, Е.В. Левицкая Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия E-mail:»
  28. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Магнитные фазовые диаграммы манганитов в области их электронного легирования (Обзор) © С.М. Дунаевский Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, 188300 Гатчина,»
  29. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в матрице Si © А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф.»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур © А.Е. Галашев¶, И.А. Измоденов, А.Н. Новрузов, О.А. Новрузова Институт теплофизики Уральского отделения Российской»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл–изолятор в компенсированном Ge:Ga ¶ © С.В. Егоров , А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии © Я.Е. Покровский¶, Н.А. Хвальковский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия (Получена»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Термоотжиг дефектов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с трехмерными островками © М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев Физико-технический»
  34. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термомагнитные эффекты в HgSe © Х.М. Биккин, А.Т. Лончаков, И.И. Ляпилин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии ¶ © Ю.Н. Дроздов , Н.В. Байдусь , Б.Н. Звонков , М.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин Институт»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем © В.Г. Талалаеↇ¶, Б.В. Новиков†, А.С. Соколов†, И.В. Штром†, J.W. Tomm, Н.Д. Захаров‡, P. Werner‡, Г.Э.»
  37. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Эффект больших доз в рентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа © Д.А. Зацепин, Е.С. Яненкова, Э.З. Курмаев, В.М. Черкашенко, С.Н. Шамин, С.О. Чолах Институт физики металлов»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах © С.И. Борисенко¶ Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия (Получена 12 марта»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением © В.А. Володин¶, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю.»
  40. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Исследование лазерно-индуцированного дефектообразования в кристаллах CdTe методом резерфордовского обратного рассеяния © Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, Ю.Н. Сосновских, В.Ю. Тимошенко, Н.Г.»
  41. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs © В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, В.В. Шашкин, А.И. Торопов Конструкторско-технологический институт»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs ¶ ¶¶ © В.Ф. Раданцев , И.М. Иванкив , А.М. Яфясов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083 Екатеринбург, Россия »
  43. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Кинетическая теория процессов ионизации и захвата электрона заряженной примесью в полупроводнике © В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  44. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов HgTeS © В.В. Щенников, А.Е. Карькин, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк Институт физики металлов Уральского отделения Российской»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Фотолюминесценция антимодулированно легированных GaAs/AlGaAs-структур с одиночными квантовыми ямами, обработанных в водородной плазме + © Ю.А. Бумай, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штайн, А. Голомбек,»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs © Д.В. Гуляев¶, К.С. Журавлев»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 О шнуровании холловского тока диска Корбино в условиях квантового эффекта Холла © В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия »
  48. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия © Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, Г.И. Рябцев, М.М. Соболев+ ¶ Институт»
  49. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Электрические и термоэлектрические свойства биоморфного композита SiC/Si при высоких температурах © А.И. Шелых, Б.И. Смирнов, Т.С. Орлова, И.А. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M.»
  50. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев»
  51. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Оптическая дефазировка в твердом толуоле, активированном цинк-октаэтилпорфином © Ю.Г. Вайнер, М.А. Кольченко, А.В. Наумов, Р.И. Персонов, С.Дж. Цилкер Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек ¶ © В.А. Кульбачинский , В.А. Рогозин, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, Б.Н. Звонков, З.М. Дашевский , В.А.»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Фотолюминесценция квантовых ям и квантовых точек германия в кремнии, полученных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии ¶ © Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов , А.О. Погосов, М.М. Рзаев,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Энергетический спектр и оптические свойства комплекса квантовая точка–примесный центр © В.Д. Кревчик, А.В. Левашов Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия (Получена 5»
  55. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решетки SmS © В.В. Каминский, Н.В. Шаренкова, Л.Н. Васильев, С.М. Соловьёв Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs © Ф.Ю. Солдатенков¶, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков Физико-технический»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения ¶ © В.Б. Куликов , Г.Х. Аветисян, Л.М. Василевская, И.Д. Залевский»
  58. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Модель прыжковой и зонной фотопроводимости на постоянном токе в легированных кристаллах © Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия E-mail:»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si ¶ © А.Г. Макаров , Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, В.М. Устинов,»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Локализация электронов и блоховские осцилляции в сверхрешетках из квантовых точек в постоянном электрическом поле © И.А. Дмитриев¶, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  61. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Anisotropy of electric resistivity of Sapele-based biomorphic SiC/Si composites © T.S. Orlova, B.I. Smirnov, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martnez Fernndez, R. Seplveda A.F. Ioffe Physico-Technical Institute,»
  62. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Магнитные и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированных иттербием © Н.Т. Баграев, В.В. Романов, В.П. Савельев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  63. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Межзонное поглощение длинноволнового излучения в -легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников © В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. Foygel† Государственный»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Инжекционное возбуждение люминесценции в многослойных структурах nc-Si/диэлектрик © Ю.А. Берашевич¶, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения.Вопросы энергетического разрешения © В.А. Андрианов¶, В.П. Горько↶¶, В.П. Кошелец‡¶¶¶, Л.В. Филиппенко‡ Научно-исследовательский»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Энергетическая структура A+-центров в квантовых ямах ¶ © Н.С. Аверкиев, А.Е. Жуков, Ю.Л. Ивнов, П.В. Петров, К.С. Романов , А.А. Тонких, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин Физико-технический институт им.»
  67. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Аномалии в спектре собственных электромагнитных волн в анизотропных пластинах © В.И. Альшиц, В.Н. Любимов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail:»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках © С.И. Покутний¶ Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Инверсия заселенности -подзон в квантовых ямах в условиях междолинного -L-переноса ¶ © В.Я. Алешкин , А.А. Андронов, А.А. Дубинов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600»
  70. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии © В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.З.»
  71. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Гигантское теплосопротивление ZnSeNi при низких температурах © В.М. Михеев Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail: mikheev@imp.uran.ru»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Температурная зависимость оптической энергетической щели квантовых точек CdSXSe1-X © В.П. Кунец¶, Н.Р. Кулиш, Вас.П. Кунец, М.П. Лисица, Н.И. Малыш Институт полупроводников Национальной академии»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре © Д.В. Мельников, А.И. Подливаев Московский государственный инженерно-физический институт (технический»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Кремниевый фотодиод с сетчатым p-n-переходом © В.И. Блынский¶, Ю.Г. Василевский, С.А. Малышев, А.Л. Чиж Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, 220090 Минск, Республика»
  75. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Механо-электрический эффект в твердых электролитах © В.И. Барбашов, Ю.А. Комыса Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114 Донецк, Украина E-mail: yurkom@inbox.ru»
  76. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Спектрально-люминесцентные свойства и структура оптических центров Eu- и Ce–Eu-содержащих кварцевых гель-стекол © Г.Е. Малашкевич, А.Г. Маханек , А.В. Семченко, В.Е. Гайшун, И.М. Мельниченко, Е.Н.»
  77. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных на подложках GaAs (100) © В.В. Зайцев, В.С. Багаев, Е.Е. Онищенко, Ю.Г. Садофьев Физический институт им. П.Н. Лебедева»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Зонная структура и спектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками © Н.В. Сибирев¶, В.Г. Талалаев+,, А.А. Тонких,,, Г.Э. Цырлин,,, В.Г.»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах AIIBVI с широкими квантовыми ямами ¶ © С.А. Марков, Р.П. Сейсян , В.А. Кособукин Физико-технический институт им.»
  80. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Новый механизм оптоакустического отклика в полупроводнике © Н.В. Чигарев Международный лазерный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия E-mail: cnv@mail.ru»
  81. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Границы существования континуального трехмерного биполярона © В.К. Мухоморов Агрофизический научно-исследовательский институт, 195220 Санкт-Петербург, Россия E-mail: ivl@agrophys.spb.su (Поступила в»
  82. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Спектр фотоионизации создаваемых пластической деформацией электронных состояний в диапазоне 1.2–2.2 eV в гамма-облученных кристаллах NaCl © Е.В. Коровкин Институт физики твердого тела Российской академии»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами © Н.В. Алкеев¶, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, P. Velling+, E. Khorenko+, W. Prost+, F.J. Tegude+»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электролюминесценция квантово-каскадных структур AlGaAs/GaAs в терагерцовом диапазоне © Н.Н. Зиновьев+, А.В. Андрианов+, В.Ю. Некрасов+, Л.В. Беляков+, О.М. Сресели+¶, Г. Хилл , Дж.М. Чемберлен»
  85. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Центры окраски в кристаллах молибдата свинца © Т.М. Бочкова, М.Д. Волнянский, Д.М. Волнянский, В.С. Щетинкин Днепропетровский национальный университет, 49050 Днепропетровск, Украина E-mail:»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) © Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н Лобанов, А.В. Новиков, М.В.»
  87. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Исследования структуры пористого фосфида галлия © Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия »
  88. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 К температурной зависимости упругих постоянных второго порядка кубических кристаллов © Б.П. Сорокин, Д.А. Глушков, К.С. Александров Красноярский государственный университет, 660041 Красноярск, Россия»
  89. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Расчет энергии замещения атомов кремния и углерода элементами III и V групп в карбиде кремния © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  90. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Анализ структурных факторов, определяющих образование шейки при растяжении металлов и сплавов с ГЦК-решеткой © Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  91. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Исследование кристаллов в средней и длинноволновой ИК-области методом спектроскопии поверхностных электромагнитных волн © Е.В. Алиева, Г.Н. Жижин, Л.А. Кузик, В.А. Яковлев Институт спектроскопии Российской»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Неомическая проводимость и механизмы релаксации энергии 2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs ¶ © А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков , О.Э. Рут, А.В. Германенко, Б.Н. Звонков»
  93. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN © В.И. Гавриленко+¶, Е.В. Демидов+, К.В. Маремьянин+, С.В. Морозов+, W. Knap, J.»
  94. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Рекристаллизация теллура в условиях микрогравитации и свойства полученных образцов © Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов, В.П. Шалимов, А.М. Турчанинов, А.И. Иванов, С.Ф. Савин»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки © Ю.А. Берашевич¶, С.К. Лазарук, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и»
  96. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Использование криволинейных координат в ab initio расчетах диэлектриков на базе метода псевдопотенциала © А.С. Федоров Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,»
  97. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Эффект Дюфура в суперионном селениде меди © М.А. Коржуев Институт металлургии им. А.А.Байкова Российской академии наук, 117911 Москва, Россия (Поступила в Редакцию 5 августа 1997 г.) Эффект Дюфура, обратный»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока © П.С. Вергелес, В.В. Крапухин, Е.Б. Якимов¶ Институт проблем технологии микроэлектроники и»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Особенности межэлектронного взаимодействия в потенциальной яме сильно легированного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs © В.И. Кадушкин¶ Рязанский государственный педагогический университет им.»
  100. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Структура и свойства покрытий Ti–B–N, Ti–Cr–B–(N) и Cr–B–(N), полученных магнетронным распылением мишеней, приготовленных методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза © Д.В. Штанский, Ф.В.»

Pages:     | 1 |   ...   | 66 | 67 |
68
| 69 | 70 |   ...   | 114 |
 
Книги по разным темам

наверх



 |  • Главная  |  • Контакты | 
© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.