минесценцией в GaP ( = 555 нм). — структуры с двумерным электронным газом с поУстановлено, что по мере увеличения концентрации движностью электронов 1.23 · 104 см2 В-1 с-1 при 300 K изовалентных РЗЭ в жидкой фазе от 0.001 до 0.1 ат% и 7.3 · 104 см2 В-1 с-1 при 4.2 K, которые не чувв эпитаксиальных слоях InP и InGaAs происходит ствительны к освещению белым светом, что весьма инверсия типа проводимости при их концентрациях важно для полевых транзисторов с высокой подвиж0.001-0.008 ат% для различных РЗЭ в зависимости от ностью (HEMT);
фона акцепторных примесей. — фотоприемники различных типов: планарные фоПоказано, что предельная растворимость РЗЭ в твер- торезисторы на основе InGaAS и InP для спектдой фазе не превышает 1015 см-3 при температуре рального диапазона 0.2-1.6мкм, pin-фотодиоды спектэпитаксии 645C, оценка коэффициента распределения рального диапазона 1.0-1.6 мкм с чувствительностью дает величину < 10-4. до 0.7 А/Вт, быстродействием 50 пс и темновыми Установлено, что РЗЭ, помимо взаимодействия с фо- токами 10-7 А/см2; лавинные фотодиоды с чувствиновыми примесями в жидкой фазе, вступают во взаимо- тельностью в диапазоне 0.9-1.35 мкм с умножением действие с основными компонентами раствора-распла- M = 200 и темновыми токами 10-5 А/см2 при 0.9Uf ;
ва, в том числе с фосфором, что приводит к уменьшению вертикальные полевые фототранзисторы спектрального пересыщения раствора-расплава по фосфору, и это диапазона 1.0-1.6 мкм со статическим коэффициентом необходимо учитывать при выращивании многослойных усиления 100;
структур. — барьеры Шоттки на основе n-InP и n-InGaAs с Показано, что совместное легирование растворов- токами утечки на несколько порядков ниже, чем у расплавов РЗЭ и Sn позволяет управлять кон- барьеров Шоттки Au-n-InP(InGaAs);
центрацией электронов в слоях в пределах — МДП структуры на основе InP с плотностью 1014-1017 см-3, при этом подвижность электронов поверхностных состояний на границе раздела диэлектв InGaAs при n =(1-2) · 1017 см-3 достигает рик-полупроводник < 1011 эВ-1 см-2, фиксированным 7000 см2 В-1 с-1 при 300 K. зарядом < 1011 см-2 и гистерезисом менее 0.2 В;
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Редкоземельные элементы в технологии соединений AIIIBV и приборов на их основе — полевые транзисторы с барьером Шоттки на основе [4] С.И. Пышкин, С.И. Радуцан, С.В. Слободчиков. ФТП, 1, 1013 (1967).
n-InGaAs (n 2 · 1017 см-3) с крутизной 180 мСм/мм при 300 K и коэффициентом усиления по мощ- [5] L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, A.T. Gorelenok, N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology. Processing ности 17 дБ на 4 ГГц при размере затвора 1.5 290 мкм;
and Novel Fabrication Techniques (N. Y-Chichester-Wein— светодиодные p-n-структуры на основе GaP heim-Brisbane-Singapore-Toronto, John Wiley & Sons, чисто-зеленого ( = 555 нм) излучения;
Inc., 1997) p. 91.
— диоды Ганна на основе n-InGaAs/n+-InP с эффектив[6] A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt. Microelectностью генерации 2.5% в 8-миллиметровом диапазоне ron. J., 26, 705 (1995).
щиной 1.6 мм с исходной концентрацией носителей [10] H. Nakagome, K. Takahei. Jap. J. Appl. Phys., 28, L2 · 1015 см-3 и подвижностью 1500-2000 см2 В-1 с-(1989).
позволило снизить концентрацию носителей до 108 см-3 [11] K. Thonke, H.U. Hermann, J. Schneider. J. Phys. C: Sol. St.
и увеличить их подвижность до 7000 см2 В-1 с-1.
Phys., 21, 5881 (1988).
— Поверхностное геттерирование пластин GaAs [12] D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, пленками Y при одно- и двухстороннем покрытии поJ.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, верхности пластин носит объемный характер. 2181 (1992).
— Показано, что эффект геттерирования начинает [13] M.M. Factor, J. Haigh. US Patent C30B29/40 N (1982).
работать с достаточно низких температур термообработ[14] К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, С.И. Карпенко, В.В. Мамутин, ки (700C).
Р.П. Сейсян. ФТП, 17, 2148 (1983).
— Однородное распределение концентрации носите[15] Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, лей ND-NA и эффективного времени жизни по толщине А.В. Каманин, В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, пластин является уникальным результатом.
Ю.П. Толпаров, А.Е. Шубин. ФТП, 18, 83 (1984).
— В процессе геттерирования происходит генерация [16] W. Krber, J. Weber, A. Hangleiter, K.W. Benz, H. Ennen, дефектов-антиподов: AsGa и GaAs, а также, возможH.D. Mller. J. Cryst. Growth, 79, 741 (1986).
но, собственных дефектов различного типа: VGa, VAs, [17] A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, IGa, IAs. Основную роль в процессе геттерирования, V.K. Eremin, E.M. Verbitskaya, V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, по-видимому, играет не прямая аннигиляция дефектовY.P. Veretenkin, T.J. Bowles. Nucl. Instrum. Meth. Phys.
антиподов, а их пространственное разделение и образоRes. A, 439, 651 (2000).
вание комплексов с их участием, результатом чего яв[18] В.Ф. Андриевский, А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, ляется снижение концентрации носителей и возрастание А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. ФТП, 36, 404 (2002).
их подвижности.
[19] F. Hulliger. In: Handbook on the Physics and Chemistry of — Геттерированный GaAs может быть перспективен Rare Earth, ed. by K.A. Schneider, L. Eyring (Amsterdam, для высоковольтных мощных силовых приборов, детекNorth-Holland, 1979) v. 4, p. 153.
торов рентгеновского, ядерного излучений и частиц, [20] H. Nakagome, K. Takanei, Y. Homma. J. Cryst. Growth, 85, включая нейтрино, а также для сверхбольших сверхбы- 345 (1987).
стродействующих интегральных микро- и оптоэлектрон- [21] O. Aina, M. Mattingly, S. Steinhauser, R. Mariella, Jr., A. Melas. J. Cryst. Growth, 21, 215 (1988).
ных схем. При этом технология получения такого ма[22] В.Н. Романенко, В.С. Хейфец. Изв. АН СССР. Неорг.
териала проста и вписывается в обычную технологию матер., 9, 190 (1973).
приготовления подложек с включением только двух [23] В.Х. Байрамов, Л.Ф. Захаренков, Г.В. Ильменков, дополнительных операций: нанесение геттерирующих В.Ф. Мастеров, В.В. Торопов. ФТП, 23, 1496 (1989).
покрытий и термообработки.
[24] А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, Р. Кумар, В.В. Мамутин, Таким образом, проведенные исследования показали Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22, эффективность и перспективность использования РЗЭ 35 (1988).
в технологии соединений AIIIBV и приборов опто- и [25] Ю.А. Карпов, В.В. Мазуренко, В.В. Петров, В.С. Просоломикроэлектроники на их основе.
вич, В.Д. Ткачев. ФТП, 18, 368 (1984).
[26] В.Г. Голубев, А.Т. Гореленок, В.И. Иванов-Омский, В.В. Мамутин, И.Г. Минервин, А.В. Осутин. Письма ЖТФ, Список литературы 11, 347 (1985).
[27] А.Т. Гореленок, В.В. Мамутин, Д.В. Пуляевский, Д.Н. Рех[1] J. Mandelkorn, L. Schwartz, J. Broder, H. Kautz. J. Appl.
виашвили, Н.М. Шмидт. ФТП, 21, 1514 (1987).
Phys., 35, 2258 (1964).
[28] А. Галаванаускас, А.Т. Гореленок, З. Добровольскис, [2] Н.Т. Баграев, Е.П. Бочкарев, Л.С. Власенко, В.П. Гришин, С. Кершулись, Ю. Пожела, А. Реклайтис, Н.М. Шмидт.
Р.А. Житников, Ю.А. Карпов. Изв. АН СССР. Неорг.
матер., 14, 614 (1978). ФТП, 22, 1672 (1988).
[3] Г.В. Лашкарев, А.И. Дмитриев, Г.А. Сукач, В.А. Шершель. [29] В. Балинас, А.Т. Гореленок, А. Кроткус, А. Сталненис, ФТП, 5, 2075 (1971). Н.М. Шмидт. ФТП, 24, 848 (1990).
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 940 А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, Н.М. Шмидт [30] В.Г. Голубев, А.Т. Гореленок, В.И. Иванов-Омский, [55] В.Ф. Андриевский, А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, И.Г. Минервин, А.В. Осутин. Изв. АН СССР. Сер. физ., А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. ФТП, 36, 404 (2002).
The results of our investigation on applications of [42] В.А. Волков, А.Т. Гореленок, В.Н. Лукьянов, И.А. Рачков, rare-earth elements (REE) to liquid phase epitaxy of InP, InGaAsP, Д.Н. Рехвиашвили, Н.М. Шмидт, С.Д. Якубович. ПисьInGaAs, GaP, and on fabrication of various opto- and microма ЖТФ, 12, 1059 (1987).
electron devices based on them, as well as the results on surface [43] K. Nishida, K. Taguchi, Y. Matsumoto. Appl. Phys. Lett., 35, gettering GaAs by REE films in order to obtain high-resistivity 251 (1979).
materials for various purposes have been summarized.
[44] S.R. Forrest. IEEE J. Quant. Electron., 17, 217 (1981).
